Optics Japan 2004
4pD5 為村 成亨
InGaN多重量子井戸素子の光変調特性
InGaN多重量子井戸構造を用いた、405nmに感度を持つ半導体光変調素子を作製する。本発表では、レーザーリフトオフにより基板を除去した試料について、電界吸収効果を利用した光変調特性を報告する。
Optical Society Of Japan
An Affiliate of the Japan Society of Applied Physics