Optics Japan 2004
5pB2 鈴木 一平
散乱型ＳＮＯＭによる近接場測定 −実測定と計算結果の比較−
100nm×200nmの微小開口より発生する近接場について、実測定と計算を行った。開口周辺に近接場が局在し、開口から離れるにしたがい近接場の強度が弱くなっていく様子を観測。両結果が良く合致していることを確認した。
Optical Society Of Japan
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